Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"Hughes, Eamonn T."'
Autor:
Hughes, Eamonn T., Kusch, Gunnar, Selvidge, Jennifer, Bonef, Bastien, Norman, Justin, Shang, Chen, Bowers, John E., Oliver, Rachel A., Mukherjee, Kunal
We probe the extent to which dislocations reduce carrier lifetimes and alter luminescence and growth morphology in InAs quantum dots (QD) grown on silicon. These heterostructures are key ingredients to achieving a highly reliable monolithically integ
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.03671
PbSe and related IV-VI rocksalt-structure semiconductors have important electronic properties that may be controlled by epitaxial strain and interfaces, thus harnessed in an emerging class of IV-VI/III-V heterostructures. The synthesis of such hetero
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.05303
Autor:
Shang, Chen, Feng, Kaiyin, Hughes, Eamonn T., Clark, Andrew, Debnath, Mukul, Koscica, Rosalyn, Leake, Gerald, Herman, Joshua, Harame, David, Ludewig, Peter, Wan, Yating, Bowers, John E.
Monolithic integration of quantum dot (QD) gain materials onto Si photonic platforms via direct epitaxial growth is a promising solution for on-chip light sources. Recent developments have demonstrated superior device reliability in blanket hetero-ep
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.01211
Autor:
Meyer, Jarod, Muhowski, Aaron J., Nordin, Leland J., Hughes, Eamonn T., Haidet, Brian B., Wasserman, Daniel, Mukherjee, Kunal
Publikováno v:
APL Materials 9, 111112 (2021)
We report on photoluminescence in the 3-7 $\mu$m mid-wave infrared (MWIR) range from sub-100 nm strained thin films of rocksalt PbSe(001) grown on GaAs(001) substrates by molecular beam epitaxy. These bare films, grown epitaxially at temperatures bel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.12701
Autor:
Selvidge, Jennifer, Norman, Justin, Hughes, Eamonn T., Shang, Chen, Jung, Daehwan, Taylor, Aidan A., Kennedy, MJ, Herrick, Robert, Bowers, John E., Mukherjee, Kunal
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 117 (2020) 122101
Epitaxially integrated III-V semiconductor lasers for silicon photonics have the potential to dramatically transform information networks, but currently, dislocations limit performance and reliability even in defect tolerant InAs quantum dot (QD) bas
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.06066
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Koscica, Rosalyn, Shang, Chen, Feng, Kaiyin, Hughes, Eamonn T., Li, Christy, Skipper, Alec, Bowers, John E.
Publikováno v:
Advanced Photonics Research; Mar2024, Vol. 5 Issue 3, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mostafaei, Amir, Toman, Jakub, Stevens, Erica L., Hughes, Eamonn T., Krimer, Yuval L., Chmielus, Markus
Publikováno v:
In Acta Materialia 1 February 2017 124:280-289