Zobrazeno 1 - 10
of 261
pro vyhledávání: '"Huffaker, D. L."'
In this paper, the flexibility of long-wavelength Type-II InAs/GaSb superlattice (Ga-containing SL) is explored and investigated from the growth to the device performance. First, several samples with different SL period composition and thickness are
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.07298
This work investigates midwave infrared Type-II InAs/GaSb superlattice (SL) grown by molecular beam epitaxy on GaSb substrate. In order to compensate the natural tensile strain of the InAs layers, two different shutter sequences have been explored du
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.00797
Calculations of the potential energy surface for tracer Ga and In adatoms above three GaAs (111)A surface reconstructions are presented in order to understand the growth conditions required to form axial heterostructures in GaAs/InGaAs nano-pillars.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1102.2004
Autor:
Kwan, D. C. M., Kesaria, M., Jiménez, J. J., Srivastava, V., Delmas, M., Liang, B. L., Morales, F. M., Huffaker, D. L.
Publikováno v:
Scientific Reports. 12
At room temperature, a 10 µm cut-off wavelength coincides with an infrared spectral window and the peak emission of blackbody objects. We report a 10 µm cut-off wavelength InAs/GaSb T2SL p-i-n diode on a GaAs substrate with an intentional interfaci
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Couto Jr., O. D. D., de Almeida, P. T., dos Santos, G. E., Balanta, M. A. G., Andriolo, H. F., Brum, J. A., Brasil, M. J. S. P., Iikawa, F., Liang, B. L., Huffaker, D. L.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/28/2016, Vol. 120 Issue 8, p084305-1-084305-7, 7p, 1 Diagram, 5 Graphs
Autor:
Debnath, M. C., Mishima, T. D., Santos, M. B., Cheng, Y., Whiteside, V. R., Sellers, I. R., Hossain, K., Laghumavarapu, R. B., Liang, B. L., Huffaker, D. L.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 119 Issue 11, p1-7, 7p, 1 Diagram, 6 Graphs
Autor:
Kwan, D. C. M., Kesaria, M., Anyebe, E. A., Alshahrani, D. O., Delmas, M., Liang, B. L., Huffaker, D. L.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 5/28/2021, Vol. 118 Issue 20, p1-7, 7p