Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Hudspeth, Quentin"'
Autor:
Liu, Yining, Yang, Wenjie, Hudspeth, Quentin, Sarangan, Andrew, Agha, Imad, Williams, James S., Warrender, Jeffrey M., Mathews, Jay
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/21/2024, Vol. 135 Issue 23, p1-8, 8p
Autor:
Tran, Tuan T., Hudspeth, Quentin, Liu, Yining, Smillie, Lachlan A., Wang, Buguo, Bruce, Renaud A., Mathews, Jay, Warrender, Jeffrey M., Williams, J. S.
Ge-Sn alloys with a sufficiently high concentration of Sn is a direct bandgap group IV material. Recently, ion implantation followed by pulsed laser melting has been shown to be a promising method to realize this material due to its high reproducibil
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.08241
Autor:
Tran, Tuan T., Hudspeth, Quentin, Liu, Yining, Smillie, Lachlan A., Wang, Buguo, Bruce, Renaud A., Mathews, Jay, Warrender, Jeffrey M., Williams, J.S.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B December 2020 262
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 121 Issue 1, p1-5, 5p, 3 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.