Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Huang, Yongdan"'
Autor:
Qiao, Qinghai, Huang, Yongdan, Dong, Huizhen, Xing, Caihua, Han, Chenyang, Lin, Likun, Wang, Xin, Su, Zhiyuan, Qi, Kaijie, Xie, Zhihua, Huang, Xiaosan, Zhang, Shaoling
Publikováno v:
In Plant Physiology and Biochemistry May 2024 210
Autor:
Qin, Hua, Yu, Yao, Sun, Jiandong, Zheng, Zhongxin, Huang, Yongdan, Li, Xingxin, Zhou, Yu, Wu, Dongmin, Zhang, Zhipeng, Zeng, Cunhong, Cai, Yong, Zhang, Xiaoyu, Zhang, Baoshun, Tu, Xuecou, Zhou, Gaochao, Jin, Biaobing, Kang, Lin, Chen, Jian, Wu, Peiheng
The advance of terahertz science and technology yet lays wait for the breakthrough in high-efficiency and high-power solid-state terahertz sources applicable at room temperature. Plasmon in two-dimensional electron gas (2DEG) has long been pursued as
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1702.01303
Autor:
Zhou, Ye1 (AUTHOR), Huang, Yongdan1 (AUTHOR), Wu, Lei1 (AUTHOR), Wang, Guoming1 (AUTHOR), Gu, Chao1 (AUTHOR) guchao@njau.edu.cn, Zhang, Shaoling1 (AUTHOR) slzhang@njau.edu.cn
Publikováno v:
Plant Molecular Biology Reporter. 2020, Vol. 38 Issue 4, p601-612. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 34:022002
In a grating-coupled high-electron-mobility transistor, weak terahertz emission with wavelength around 400 μm was observed by using a Fourier-transform spectrometer. The absolute terahertz emission power was extracted from a strong background blackb
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c91297cfd880cf9131f81f9edd457337
https://doi.org/10.1088/1674-4926/34/2/022002
https://doi.org/10.1088/1674-4926/34/2/022002
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors; 2/ 1/2013, Vol. 34 Issue 2, p1-5, 5p