Zobrazeno 1 - 10
of 240
pro vyhledávání: '"Huang, Po‐Chun"'
Autor:
Huang, Frank Y., Huang, Po-Chun
In densely populated urban areas, where interactions between pedestrians, vehicles, and motorcycles are frequent and complex, traffic safety is a critical concern. This paper evaluates the Neighborhood Traffic Environment Improvement Program in Taipe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.16752
Autor:
Chang, Si‐Jie1 (AUTHOR), Huang, Po‐Chun1 (AUTHOR), Su, Jia‐Sian1 (AUTHOR), Hsieh, Yu‐Wei1 (AUTHOR), Quiroz Reyes, Carlos Jose2,3 (AUTHOR), Fan, Ting‐Hsuan1 (AUTHOR), Sun, Han‐Sheng2 (AUTHOR), Nguyem, Ai‐Phuong2,4 (AUTHOR), Liu, Te‐I2 (AUTHOR), Cheng, Ho‐Wen2,5 (AUTHOR), Lin, Ching‐Wei2 (AUTHOR), Hayashi, Michitoshi6,7,8 (AUTHOR), Yong, Chaw‐Keong1 (AUTHOR) chawkyong@phys.ntu.edu.tw
Publikováno v:
Advanced Science. 10/28/2024, Vol. 11 Issue 40, p1-10. 10p.
Autor:
Huang, Po-Chun1 (AUTHOR) d917205@oz.nthu.edu.tw, Pan, Bo-Yu2 (AUTHOR) pan740102@gmail.com
Publikováno v:
Axioms (2075-1680). Oct2024, Vol. 13 Issue 10, p673. 37p.
Autor:
Huang, Po-Chun1 (AUTHOR) d917205@oz.nthu.edu.tw, Pan, Bo-Yu2 (AUTHOR) pan740102@gmail.com
Publikováno v:
Axioms (2075-1680). Aug2024, Vol. 13 Issue 8, p508. 38p.
Autor:
Huang, Po-Chun (AUTHOR) huangpo5@nccu.edu.tw
Publikováno v:
Journal of Human Resources. Sep2024, Vol. 59 Issue 5, p1387-1424. 38p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Huang, Po-Chun, 黃博群
106
AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) have high electron mobility, high saturation velocity and high breakdown, compared with other electron device. AlGaN/GaN HEMTs have been widely applied for high frequency and high power ap
AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) have high electron mobility, high saturation velocity and high breakdown, compared with other electron device. AlGaN/GaN HEMTs have been widely applied for high frequency and high power ap
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/q9347r
Autor:
HUANG, PO-CHUN, 黃柏鈞
105
In the recent years, HUD is widely used on the vehicles to enhance the driving safety. Nowadays, the contrast ratio and color saturation of HUD imaging are not good enough. Thus, in this study, we used the graded index notch filter to improv
In the recent years, HUD is widely used on the vehicles to enhance the driving safety. Nowadays, the contrast ratio and color saturation of HUD imaging are not good enough. Thus, in this study, we used the graded index notch filter to improv
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/51871684832986172745