Zobrazeno 1 - 10
of 121
pro vyhledávání: '"Hu, Zongyang"'
Publikováno v:
In Journal of Process Control February 2024 134
Autor:
Cho, YongJin, Bharadwaj, Shyam, Hu, Zongyang, Nomoto, Kazuki, Jahn, Uwe, Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep
Blue light-emitting diodes (LEDs) consisting of a buried n+-p+ GaN tunnel junction, (In,Ga)N multiple quantum wells (MQWs) and a n+-GaN top layer are grown on single-crystal Ga-polar n+-GaN bulk wafers by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The (
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.07708
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 110, 253506 (2017)
N-polar GaN p-n diodes are realized on single-crystal N-polar GaN bulk wafers by plasma-assisted molecular beam epitaxy growth. The current-voltage characteristics show high-quality rectification and electroluminescence characteristics with a high on
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1706.02439
Autor:
Zhu, Mingda, Qi, Meng, Nomoto, Kazuki, Hu, Zongyang, Song, Bo, Pan, Ming, Gao, Xiang, Jena, Debdeep, Xing, Huili Grace
In this letter, carrier transport in graded Al$\mathrm{_x}$Ga$\mathrm{_{1-x}}$N with a polarization-induced n-type doping as low as ~ 10$\mathrm{^{17}}$ cm$\mathrm{^{-3}}$ is reported. The graded Al$\mathrm{_x}$Ga$\mathrm{_{1-x}}$N is grown by metal
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1704.03001
Autor:
Xing, Huili Grace, Song, Bo, Zhu, Mingda, Hu, Zongyang, Qi, Meng, Nomoto, Kazuki, Jena, Debdeep
Owing to the large breakdown electric field, wide bandgap semiconductors such as SiC, GaN, Ga2O3 and diamond based power devices are the focus for next generation power switching applications. The unipolar trade-off relationship between the area spec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1505.04651
Autor:
Qi, Meng, Li, Guowang, Protasenko, Vladimir, Zhao, Pei, Verma, Jai, Song, Bo, Ganguly, Satyaki, Zhu, Mingda, Hu, Zongyang, Yan, Xiaodong, Mintairov, Alexander, Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep
Publikováno v:
Applied Physics Letters, 106, 041906 (2015)
This work shows that the combination of ultrathin highly strained GaN quantum wells embedded in an AlN matrix, with controlled isotopic concentrations of Nitrogen enables a dual marker method for Raman spectroscopy. By combining these techniques, we
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1502.00072
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energy Sources, Part A: Recovery, Utilization, and Environmental Effects. :1-16
Nowadays, deep peak-shaving of coal-fired boilers is critical for energy saving. However, the deep peak-shaving performance of coal-fired boilers is constrained by the performance of the catalyst o...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8fc0cd09d3ee780fc8fb49cc8b61799
https://doi.org/10.1080/15567036.2020.1760970
https://doi.org/10.1080/15567036.2020.1760970
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.