Zobrazeno 1 - 10 of 11 pro vyhledávání: '"Hu, Kezhong"'
1
Akademický článek
Effect of structural and chemical parameters on the optical properties of highly strained AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells.
Autor: Kaviani, Kian, Chen, Li, Hu, Kezhong, Xie, Qianghua, Madhukar, Anupam
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 3, p805-808, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Growth of high quality strained AlxGa1-xAs/In0.26Ga0.74As/AlzGa1-zAs quantum wells and the effect of silicon nitride encapsulation and rapid thermal annealing.
Autor: Kaviani, Kian, Chen, Jun, Hu, Kezhong, Chen, Li, Madhukar, Anupam
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 2, p793-796, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
High contrast optically bistable optoelectronic switches based on InGaAs/GaAs(100) conventional and inverted asymmetric Fabry-Pérot modulators grown via molecular-beam epitaxy.
Autor: Chen, Li, Hu, Kezhong, Kapre, R. M., Chen, W., Chen, P., Madhukar, A.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 2, p1014-1016, 3p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Physical and Chemical Effects of Focused Ga-Ion Beam on GaAs (100).
Autor: Chen, Wei, Chen, P., Viswanathan, R., Madhukar, A., Chen, Jun, Kaviani, Kian, Xie, Q., Hu, Kezhong
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 02/10/1992, Vol. 268, pN.PAG-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
High Contrast Optically Bistable Optoelectronic Switches Using Strained InGaAs/AlGaAs Material System.
Autor: Kapre, R. M., Chen, Li, Kaviani, K., Hu, Kezhong, Chen, Ping, Madhukar, A.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 01/13/1992, Vol. 240, pN.PAG-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje