Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Hrauda, Nina"'
Autor:
Cervenka, Johann, Kosina, Hans, Selberherr, Siegfried, Zhang, Jianjun, Hrauda, Nina, Stangl, Julian, Bauer, Guenther, Vastola, Guglielmo, Marzegalli, Anna, Montalenti, Francesco, Miglio, Leo
Publikováno v:
In Solid State Electronics November-December 2011 65-66:81-87
Autor:
Hrauda, Nina, Etzelstorfer, Tanja, Strangl, Julian, Carbone, Dina, Bauer, Guenther, Biasotto, Cleber, Jovanović, Vladimir, Nanver, Lis, Moers, Juergen, Gruetzmacher, Detlev
Field-effect transistors are fabricated in the Si channels grown over the self-assembled SiGe dots. Si channels are under the biaxial strain which increases electron mobility resulting in higher drain currents.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=57a035e5b1ae::addcddb638504e70819042321f809005
https://www.bib.irb.hr/484162
https://www.bib.irb.hr/484162
Autor:
Nanver, Lis K., Biasotto, Cleber, Jovanović, Vladimir, Moers, Juergen, Gruetzmacher, Detlev, Zhang, Jianjun, Bauer, Guenther, Schmidt, Oliver G., Miglio, Leo, Kosina, Hans, Marzegalli, Anna, Vastola, Guglielmo, Mussler, Georg, Hrauda, Nina, Stangl, Julian, van der Cingel, Johan, Pezzoli, Fabio, Bonera, Emiliano
Over the last decade, strain-enhanced mobility has become an integral part of the roadmap for CMOS downscaling and various device architectures have been proposed to improve the way in which strain is introduced in the device channel [1, 2]. In this
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=57a035e5b1ae::f68a2bf3e35f63a3a02b8cf3a0e5201a
https://www.bib.irb.hr/485710
https://www.bib.irb.hr/485710
Autor:
Jovanović, Vladimir, Biasotto, Cleber, Moers, Juergen, Grützmacher, Detlev, Zhang, Jianjun, Hrauda, Nina, Stoffel, Mathieu, Pezzoli, Fabio, Schmidt, Oliver G., Miglio, Leo, Kosina, Hans, Marzegalli, Anna, Vastola, Guglielmo, Mussler, Gregor, Stangl, Julian, Bauer, Guenther, van der Cingel, Johan, Bonera, Emiliano, Nanver, Lis K.
The dots of SiGe are grown in a Stranski-Krastanow mode in regular arrays and are used as sources of biaxial tensile strain in the Si layer grown over them. N-channel MOSFETs are fabricated with the channel region in the top Si layer over the SiGe do
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=57a035e5b1ae::ab284a312a9702e17bf4cb5013b8ea06
https://www.bib.irb.hr/492506
https://www.bib.irb.hr/492506
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.