Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"Hrauda, N."'
Autor:
Hrauda, N., Zhang, J. J., Wintersberger, E., Etzelstorfer, T., Stangl, J., Carbone, D., Biasotto, C., Jovanovic, V., Nanver, L. K., Moers, J., Grützmacher, D., Bauer, G.
SiGe islands are used to induce tensile strain in the Si channel of Field Effect Transistors to achieve larger transconductance and higher current driveabilities. We report on x-ray diffraction experiments on a single fully-processed and functional d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1011.3978
Autor:
Nanver, L.K., Jovanović, V., Biasotto, C., Moers, J., Grützmacher, D., Zhang, J.J., Hrauda, N., Stoffel, M., Pezzoli, F., Schmidt, O.G., Miglio, L., Kosina, H., Marzegalli, A., Vastola, G., Mussler, G., Stangl, J., Bauer, G., van der Cingel, J., Bonera, E.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2011 60(1):75-83
Autor:
Lengauer, C. L.1 christian.lengauer@univie.ac.at, Hrauda, N.2, Kolitsch, U.3, Krickl, R.1, Tillmanns, E.1
Publikováno v:
Mineralogy & Petrology. Jul2009, Vol. 96 Issue 3/4, p221-232. 12p. 2 Diagrams, 6 Charts, 3 Graphs.
Autor:
Hrauda, N., Zhang, J. J., Groiss, H., Etzelstorfer, T., Holý, V., Bauer, G., Deiter, C., Seeck, O. H., Stangl, J.
Publikováno v:
Nanotechnology 24(33), 35707--35707 (2013). doi:10.1088/0957-4484/24/33/335707
Nanotechnology, 24 (33), Artk.Nr:: 335707
Nanotechnology, 24 (33), Artk.Nr:: 335707
Strain engineering and the crystalline quality of semiconductor nanostructures are important issues for electronic and optoelectronic devices. We report on defect-free SiGe island arrays resulting from Ge coverages of up to 38 monolayers grown on pre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::83d87d1b0cb384c525b3dc5210b51381
Autor:
Hrauda, N., J Zhang, J., Groiss, H., Gerharz, J. C., Etzelstorfer, T., Stangl, J., Holý, V., Deiter, C., Seeck, O. H., Bauer, G.
Publikováno v:
Applied physics letters 102, 032109 (2013). doi:10.1063/1.4789507
Applied physics letters 102, 032109 (2013). doi:10.1063/1.4789507
Published by American Institute of Physics, Melville, NY
Published by American Institute of Physics, Melville, NY
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c77542aa32b97aa232a8d42c74c4805f
Autor:
Hrauda, N., Zhang, J. J., Süess, M. J., Wintersberger, E., Holý, V., Stangl, J., Deiter, C., Seeck, O. H., Bauer, G.
Publikováno v:
Nanotechnology 23, 465705 (2012). doi:10.1088/0957-4484/23/46/465705
We present investigations on the strain properties of silicon capping layers on top of regular SiGe island arrays, in dependence on the Si-layer thickness. Such island arrays are used as stressors for the active channel in field-effect transistors wh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid_dedup__::94cb3aab68e24d57ad2ae9683370678c
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/23092941
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/23092941
Autor:
Stangl, J., Hrauda, N., Kriegner, D., Keplinger, M., Etzelstorfer, T., Mocuta, C., Diaz, A., Chamard, Virginie, Grifone, R., Schülli, T.U., Metzger, T.H., Bauer, G.
Publikováno v:
11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2012)
11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2012), Sep 2012, Moscou, Russia
11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2012), Sep 2012, Moscou, Russia
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ee3a4a0437033ba63e2ba986c5ae2eab
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01254220
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01254220
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cervenka, J., Kosina, H., Selberherr, S., Jianjun Zhang, Hrauda, N., Stangl, J., Bauer, G., Vastola, G., Marzegalli, A., Miglio, L.
Publikováno v:
2010 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC); 2010, p297-300, 4p