Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Hradsky, B. A."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cowan, M. A., Moore, H. A., Hradsky, B. A., Jolly, C. J., Dunlop, J. A., Wysong, M. L., Hernandez-Santin, L., Davis, R. A., Fisher, D. O., Michael, D. R., Turner, J. M., Gibson, L. A., Knuckey, C. G., Henderson, M., Nimmo, D. G.
Publikováno v:
Australian Mammalogy; 2023, Vol. 45 Issue 2, p138-150, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sadd, M., Anderson, S.G.H., Hradsky, B., Muralidhar, R., Prinz, E.J., Rao, R., Straub, S., Steimle, R.F., Swift, C.T., White, B.E., Yater, J.A.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2005 49(11):1754-1758
Autor:
Rao, R.A., Gasquet, H.P., Steimle, R.F., Rinkenberger, G., Straub, S., Muralidhar, R., Anderson, S.G.H., Yater, J.A., Ledezma, J.C., Hamilton, J., Acred, B., Swift, C.T., Hradsky, B., Peschke, J., Sadd, M., Prinz, E.J., Chang, K.M., White, B.E., Jr.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2005 49(11):1722-1727
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Novel Direct-Tunneling-Current (DTC) Method for Channel Length Extraction Beyond Sub-50 nm Gate CMOS
Autor:
Hong, S., Zhang, Y., Luo, Y., Suligoj, T., Kim, S.D., Woo, J.C.S., Hradsky, B., Li, R., Min, B.W., Vandooren, A., Nguyen, B.Y., Wang, K.L.
A novel method for accurate gate length extraction has been developed using direct tunneling current (DTC) through thin gate oxide. Applied to decanano CMOS devices, the proposed method is verified to be free from a severe assumption of unified effec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=57a035e5b1ae::66bc40df2505036a69a038b85869440b
https://www.bib.irb.hr/77041
https://www.bib.irb.hr/77041
Autor:
Muralidhar, R., Steimle, R.F., Sadd, M., Rao, R., Swift, C.T., Prinz, E.J., Yater, J., Grieve, L., Harber, K., Hradsky, B., Straub, S., Acred, B., Paulson, W., Chen, W., Parker, L., Anderson, S.G.H., Rossow, M., Merchant, T., Paransky, M., Huynh, T.
Publikováno v:
2004 International Conference on Integrated Circuit Design & Technology (IEEE Cat. No.04EX866); 2004, p31-35, 5p