Zobrazeno 1 - 6 of 6 pro vyhledávání: '"Howldar S"'
1
Akademický článek
Investigation and Analysis of Dual Metal Gate Overlap on Drain Side Tunneling Field Effect Transistor with Spacer in 10nm Node.
Autor: Howldar, S., Balaji, B., Rao, K. Srinivasa
Publikováno v: International Journal of Engineering Transactions C: Aspects; May2024, Vol. 37 Issue 5, p887-895, 9p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Gate Oxide Thickness and Drain Current Variation of Dual Gate Tunnel Field Effect Transistor.
Autor: Howldar, S., Balaji, B., Srinivasa Rao, K.
Publikováno v: International Journal of Engineering Transactions C: Aspects; Mar2024, Vol. 37 Issue 3, p520-528, 9p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Design and Analysis of Hetero Dielectric Dual Material Gate Underlap Spacer Tunnel Field Effect Transistor.
Autor: Howldar, S., Balaji, B., Rao, K. Srinivasa
Publikováno v: International Journal of Engineering Transactions C: Aspects; Dec2023, Vol. 36 Issue 12, p2137-2144, 8p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje