Zobrazeno 1 - 10
of 1 111
pro vyhledávání: '"Howell, P L"'
Autor:
Brodskiy, Michael, Howell, Owen L.
Random Matrix Theory is a powerful tool in applied mathematics. Three canonical models of random matrix distributions are the Gaussian Orthogonal, Unitary and Symplectic Ensembles. For matrix ensembles defined on k-fold tensor products of identical v
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.01727
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jariwala, Deep, Howell, Sarah L., Chen, Kan-Sheng, Kang, Junmo, Sangwan, Vinod K., Filippone, Stephen A., Turrisi, Riccardo, Marks, Tobin J., Lauhon, Lincoln J., Hersam, Mark C.
The recent emergence of a wide variety of two-dimensional (2D) materials has created new opportunities for device concepts and applications. In particular, the availability of semiconducting transition metal dichalcogenides, in addition to semi-metal
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.03451
Autor:
Howell, Sarah L., Jariwala, Deep, Wu, Chung-Chiang, Chen, Kan-Sheng, Sangwan, Vinod K., Kang, Junmo, Marks, Tobin J., Hersam, Mark C., Lauhon, Lincoln J.
The thickness-dependent band structure of MoS2 implies that discontinuities in energy bands exist at the interface of monolayer (1L) and multilayer (ML) thin films. The characteristics of such heterojunctions are analyzed here using current versus vo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1503.08798
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.