Zobrazeno 1 - 10
of 177
pro vyhledávání: '"Hovsepyan R"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kafadaryan, Y., Igityan, A., Aghamalyan, N., Petrosyan, S., Gambaryan, I., Vardanyan, V., Semerjian, H., Hovsepyan, R., Badalyan, G.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 October 2016 616:815-819
Autor:
Hovsepyan, R.1,2 (AUTHOR), Ayvazyan, O.2 (AUTHOR), Aghamalyan, N.1,2 (AUTHOR), Poghosyan, A.1 (AUTHOR), Petrosyan, S.1,2 (AUTHOR), Harutyunyan, V.2 (AUTHOR), Kafadaryan, Y.1,2 (AUTHOR) ekafadaryan@gmail.com
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. Sep2021, Vol. 127 Issue 9, p1-8. 8p. 1 Diagram, 6 Graphs.
Autor:
Igityan, A., Kafadaryan, Y., Aghamalyan, N., Petrosyan, S., Badalyan, G., Vardanyan, V., Nersisyan, M., Hovsepyan, R., Palagushkin, A., Kryzhanovsky, B.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 November 2015 595 Part A:92-95
Autor:
Igityan, A., Kafadaryan, Y., Aghamalyan, N., Petrosyan, S., Badalyan, G., Hovsepyan, R., Gambaryan, I., Eganyan, A., Semerjian, H., Kuzanyan, A.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 August 2014 564:415-418
Autor:
Pinhasi, R., Gasparian, B., Nahapetyan, S., Bar-Oz, G., Weissbrod, L., Bruch, A.A., Hovsepyan, R., Wilkinson, K.
Publikováno v:
In Quaternary Science Reviews 2011 30(27):3846-3857
Autor:
Pinhasi, R., Gasparian, B., Wilkinson, K., Bailey, R., Bar-Oz, G., Bruch, A., Chataigner, C., Hoffmann, D., Hovsepyan, R., Nahapetyan, S., Pike, A.W.G., Schreve, D., Stephens, M.
Publikováno v:
In Journal of Human Evolution 2008 55(5):803-816
Autor:
null Kafadaryan Y. A., null Badalyan G. R., null Petrosyan S. I., null Khachaturova A., null Hovsepyan R. K., null Aghamalyan N. R., null Harutyunyan S. R., null Papikyan A. K
Publikováno v:
Semiconductors. 56:264
Single-layer Sb2Te3 films and three-layer Sb2Te3/Sb2S3/Sb2Te3 structures are obtained by thermal vacuum deposition. Their thermoelectric characteristics have been investigated in a wide temperature range (5-350 K). It is shown that the conductivity o
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.