High-voltage power MOSFETs reached almost to the silicon limit.

Autor: Kobayashi, T., Abe, H., Niimura, Y., Yamada, T., Kurosaki, A., Hosen, T., Fujihira, T.

Publikováno v: Proceedings of the 13th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. IPSD '01 (IEEE Cat. No.01CH37216); 2001, p435-438, 4p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.