Zobrazeno 1 - 10
of 1 062
pro vyhledávání: '"Horiguchi N"'
Autor:
Alam, Md Nur K., Clima, S., Kaczer, B., Roussel, Ph., Truijen, B., Ragnarsson, L. - A., Horiguchi, N., Heyns, M., Van Houdt, J.
Existence of quasi-static negative capacitance (QSNC) was proposed from an interpretation of the widely accepted Landau model of ferroelectrics. However, many works showed not to support the QSNC theory, making it controversial. In this letter we sho
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.13138
Autor:
Rohrbacher, C., Rivard, J., Ritzenthaler, R., Bureau, B., Lupien, C., Mertens, H., Horiguchi, N., Dupont-Ferrier, E.
As CMOS structures are envisioned to host silicon spin qubits, and for co-integrating quantum systems with their classical control blocks, the cryogenic behaviour of such structures need to be investigated. In this paper we characterize the electrica
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.00903
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2024 216
Autor:
Asanovski, R., Grill, A., Franco, J., Palestri, P., Mertens, H., Ritzenthaler, R., Horiguchi, N., Kaczer, B., Selmi, L.
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2024 215
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2020 168
Autor:
Mohanty, Nihar, Altamirano-Sánchez, Efrain, Sarkar, T., Radisic, D., Vega Gonzalez, V., Stiers, K., Sheng, C., Montero, D., Jenkins, H., Demand, M., Wang, P., Lazzarino, F., Horiguchi, N.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; April 2024, Vol. 12958 Issue: 1 p129580B-129580B-9, 1166230p
Autor:
Yamaguchi, S., Witters, L., Mitard, J., Eneman, G., Hellings, G., Hikavyy, A., Loo, R., Horiguchi, N.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2018 83:157-161