Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Hoogeland, D."'
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2010 256(7):2081-2091
Autor:
Hoogeland, D., Jinesh, K. B., Roozeboom, F., Besling, W. F. A., van de Sanden, M. C. M., Kessels, W. M. M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Dec2009, Vol. 106 Issue 11, p114107-1-114107-7, 7p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 6 Graphs
Autor:
Hoogeland, D., Jinesh, K.B., Voogt, F.C., Besling, W.F.A., Lamy, Y., Roozeboom, F., Sanden, van de, M.C.M., Kessels, W.M.M., Gendt, de, S.
Publikováno v:
Atomic layer deposition applications 5 : Proceedings of the 5th Symposium on Atomic Layer Deposition as part of the 216th Meeting of the Electrochemical Society 5-7 October 2009, Vienna, 389-397
STARTPAGE=389;ENDPAGE=397;TITLE=Atomic layer deposition applications 5 : Proceedings of the 5th Symposium on Atomic Layer Deposition as part of the 216th Meeting of the Electrochemical Society 5-7 October 2009, Vienna
STARTPAGE=389;ENDPAGE=397;TITLE=Atomic layer deposition applications 5 : Proceedings of the 5th Symposium on Atomic Layer Deposition as part of the 216th Meeting of the Electrochemical Society 5-7 October 2009, Vienna
In this paper we report on the overall plasma-assisted ALD processes of Al2O3 and TiN conducted in a single reactor chamber and at a single temperature (340 oC). The individual Al2O3 and TiN films in the stack were consecutively deposited in such a w
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shearer, Jeffrey C.1, Fisher, Mary J.1, Hoogeland, D.2, Fisher, Ellen R.1 Ellen.Fisher@colostate.edu
Publikováno v:
Applied Surface Science. Jan2010, Vol. 256 Issue 7, p2081-2091. 11p.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.