Výsledky vyhledávání - "Homoepitaxie"

Autor: Remfort, Reinhard

Das Stickstofffehlstellenzentrum (NV-Zentrum) in Diamant gehört dank seiner einzigartigen photoelektrischen Struktur zu einem der am besten untersuchten und für eine Vielzahl von Anwendungen, wie die Verwendung als Q-bit, Einzelphotonenquelle oder

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d1b95f3b310bba7d34e4c3b953921043

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Elektronická kniha

The growth of bulk aluminum nitride

Autor: Kirste, Ronny, author, Sitar, Zlatko, author

Publikováno v: III-Nitride Semiconductors and their Modern Devices, 2013, ill.

Externí odkaz: https://doi.org/10.1093/acprof:oso/9780199681723.003.0004

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Homoepitaktische Abscheidung von Diamant auf off-axis Substraten

Autor: Bauer, Thomas

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3341::67d9331f3a99aab1d5e99220fb37ff1f
https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/frontdoor/index/index/docId/44965

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X-ray curve characterization of homo-epitaxial layers on silicon deposited after DC hydrogen cleaning

Autor: Jürgen Ramm, H U Nissen, N. Herres, Alex Dommann, D. Krüger, R.E. Pixley, H R Deller

Publikováno v: Journal of Physics D: Applied Physics. 28:A144-A148

High-resolution x-ray diffraction is a non-destructive method with an extremely high strain sensitivity. It is shown that its sensitivity is high enough to detect the influence of very small degrees of contamination by oxygen at the interface and the

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2712db62d680ca6b54f78735788c4edb
https://doi.org/10.1088/0022-3727/28/4a/028

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Crystallographic anisotropy of growth and etch rates of CVD diamond

Autor: Wolfer, M., Biener, J., El-Dasher, B.S., Biener, M.M., Hamza, A.V., Kriele, A., Wild, C.

The investigation of orientation dependent crystal growth and etch processes can provide deep insights into the underlying mechanisms and thus helps to validate theoretical models. Here, we report on homoepitaxial diamond growth and oxygen etch exper

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::84a3b52707d22f43053d85ecbc68ba31
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/218066

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Metallorganische Gasphasenepitaxie und Charakterisierung homoepitaktischer ZnO-Schichten

Autor: Heinze, Sören

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc963c2d42c03949b6be80cd43d89da7

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Dissertation/ Thesis

CROISSANCE EPITAXIALE DU CARBURE DESILICIUM A BASSE TEMPERATURE

Autor: Ferro, Gabriel

Le carbure de silicium est en théorie un des meilleurs candidats pour les applications aussi stratégiques que sont l'électronique forte puissance, haute température, haute fréquence ou encore fonctionnant en environnement hostile. Cependant, les

Externí odkaz: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00136241
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/13/62/41/PDF/HDR_ferro.pdf

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