Zobrazeno 1 - 10 of 125 pro vyhledávání: '"Homoepitaxie"'
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Akademický článek
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Homoepitaxie von ZnO
Autor: Neumann, Christian
Die Arbeit beschäftigt sich mit der homoepitaktischen Darstellung von ZnO-Dünnschichten. Die Arbeit beginnt mit einer theoretischen Betrachtung des Materialsystems und den daraus für eine erfolgreiche Epitaxie zu ziehenden Schlüssen. Es wurde ein
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______478::3790a391ccde9386eb225be9931c3e70
http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2006/3675/
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Homoepitaxie der Verbindungshalbleiter CuInS2 und CuInSe2
Autor: Hack, Christina
Die vorliegende Dissertation beinhaltet die erfolgreiche Entwicklung aller relevanten Technologieschritte, die zur Herstellung einer homoepitaktischen CuIn-basierenden Chalkopyritschicht notwendig sind: Synthese des Ausgangsmaterials, Kristallzüchtu
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2091::2af4139618c79f0fa91da9504dc6ec68
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/101/Dissertation_Christina_Hack.pdf
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Dissertation/ Thesis
HOMOEPITAXIE ET DOPAGE DE TYPE n DU DIAMANT
Autor: Kociniewski, Thierry
Ce travail a pour objectif d'étudier différentes voies susceptibles de conduire à un dopage reproductible de type n du diamant avec de bonnes propriétés électriques et cristallines. La première fut l'étude de couches homoépitaxiées de diama
Externí odkaz: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00349978
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/34/99/78/PDF/these_T._KOCINIEWSKI.pdf
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Modifikationen der Wachstumsmorphologie in der Homoepitaxie of Pt (111)
Autor: Esch, S.
Publikováno v: Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, Berichte des Forschungszentrums Jülich 3256, 96 p. (1996).
The growth morphology after conventional vapor phase deposition in homoepitaxy on Pt(111) and possibilities ofits modification - by temperature variation, by simultaneous ion bombardment and by the use of adsorbates - have been investigated by means
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3364::e6fccacd616c300dd7bd666b9a6b9935
https://juser.fz-juelich.de/record/860873
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Detection of material defects in 4H SiC and their impact on electrical failure modes of SiC MOSFETs
Autor: Baierhofer, Daniel
Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschiede
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d29241b2cdd0937858a2d3a929e81978
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/21495/Daniel_Baierhofer_Diss_OPUS.pdf
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