Zobrazeno 1 - 10
of 125
pro vyhledávání: '"Holmes, S.N."'
Autor:
Cabrera-Tinoco, H., Borja-Castro, L., Valencia-Bedregal, R., Perez-Carreño, A., Aguiar, J. Albino, Moreno, N.O., Holmes, S.N., Barnes, C.H.W., De Los Santos Valladares, L.
Publikováno v:
In Materials Today Communications August 2024 40
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Since the discovery of the Fractional Quantum Hall Effect in 1982 there has been considerable theoretical discussion on the possibility of fractional quantization of conductance in the absence of Landau levels formed by a quantizing magnetic field. A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::741b48158d8a1a0e063beec67d3a372c
http://arxiv.org/abs/1810.09863
http://arxiv.org/abs/1810.09863
InGaAs based devices are great complements to silicon for CMOS, as they provide an increased carrier saturation velocity, lower operating voltage and reduced power dissipation (International technology roadmap for semiconductors (www.itrs2.net)). In
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::15ce0cacf7cb9af318337a8601721c34
https://eprints.whiterose.ac.uk/128422/8/JPCM20180115.pdf
https://eprints.whiterose.ac.uk/128422/8/JPCM20180115.pdf
Autor:
Hirohata, A, Xu, Y.B, Yao, C.C, Leung, H.T, Lee, W.Y, Gardiner, S.M, Hasko, D.G, Bland, J.A.C *, Holmes, S.N
Publikováno v:
In Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2001 226 Part 2:1845-1847
Publikováno v:
In Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2001 226 Part 1:914-916
Autor:
Kim, J-Y., Ionescu, A., Mansell, R., Farrer, I., Oehler, F., Kinane, C.J., Cooper, J.F.K., Steinke, N-J., Langridge, S., Stankiewicz, R., Humphreys, C.J., Cowburn, R.P., Holmes, S.N., Barnes, C.H.W.
Structural and magnetic properties of 1-10 nm thick Fe films deposited on GaN(0001) were investigated. In-situ reflecting high energy electron diffraction images indicated a α-Fe(110)/GaN(0001) growth of the 3D Volmer-Weber type. The α-Fe(110) XRD
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::651e5d21bd446bb9c425d0b43b39381f
https://eprints.whiterose.ac.uk/113269/1/pdf_archiveJAPIAUvol_121iss_4043904_1_am.pdf
https://eprints.whiterose.ac.uk/113269/1/pdf_archiveJAPIAUvol_121iss_4043904_1_am.pdf