Zobrazeno 1 - 10 of 184 pro vyhledávání: '"Holland, O. W."'
1
Akademický článek
Character of defects at an ion-irradiated buried thin-film interface.
Autor: Kalyanaraman, R., Haynes, T. E., Holland, O. W., Gilmer, G. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/2002 Part 1, 2 & 3, Vol. 91 Issue 10, p6325, 8p, 1 Chart, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Annealing of Sb+-ion-implanted Si.
Autor: Holland, O. W., Fathy, D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/1988, Vol. 63 Issue 11, p5326, 5p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Characteristics of rapid thermal annealing in ion-implanted silicon.
Autor: Holland, O. W., Narayan, J., Fathy, D., Wilson, S. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1986, Vol. 59 Issue 3, p905, 5p, 1 Black and White Photograph, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Formation of ion beam mixed silicides on Si (100) at elevated substrate temperatures.
Autor: Fathy, D., Holland, O. W., Narayan, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1985, Vol. 58 Issue 1, p297, 5p, 3 Black and White Photographs, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Rapid thermal and pulsed laser annealing of boron fluoride-implanted silicon.
Autor: Narayan, J., Holland, O. W., Christie, W. H., Wortman, J. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1985, Vol. 57 Issue 8, p2709, 8p, 4 Black and White Photographs, 1 Chart, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Rapid thermal annealing of ion-implanted semiconductors.
Autor: Narayan, J., Holland, O. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1984, Vol. 56 Issue 10, p2913-2921, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Ion-beam and laser mixing of nickel overlayers on silicon carbide.
Autor: Narayan, J., Fathy, D., Holland, O. W., Appleton, B. R., Davis, R. F., Becher, P. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1984, Vol. 56 Issue 6, p1577-1582, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Phase transformation and impurity redistribution during pulsed laser irradiation of amorphous silicon layers.
Autor: Narayan, J., White, C. W., Holland, O. W., Aziz, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1984, Vol. 56 Issue 6, p1821-1830, 10p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Excimer laser annealing of ion-implanted silicon.
Autor: Narayan, J., Holland, O. W., White, C. W., Young, R. T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1984, Vol. 55 Issue 4, p1125-1130, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Point defect trapping in solid-phase epitaxially grown silicon-antimony alloys.
Autor: Pennycook, S. J., Narayan, J., Holland, O. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1984, Vol. 55 Issue 4, p837-840, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje