Zobrazeno 1 - 10
of 292
pro vyhledávání: '"Hole trap level"'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 4/1/1992, Vol. 71 Issue 7, p3320. 5p. 1 Chart, 5 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 170:510-513
We investigated the hole trap level of nitrogen-doped ZnSe grown by a metalorganic vapor phase epitaxy method. The deep level transient spectroscopy (DLTS) signal and the C - V profile were measured to obtain the trap level, the capture cross section
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::afb0078f8a14d7a4e61ad3be308f02a4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)00540-4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)00540-4
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 71:3320-3324
Hole trap level generation in boron‐doped silicon by rapid thermal annealing between 900 and 1100 °C has been studied using deep level transient spectroscopy, with emphasis on the effects of substrate type and process parameters. A dominant hole t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a835783e5f849ba9c6fb2fce8794195
https://doi.org/10.1063/1.350952
https://doi.org/10.1063/1.350952
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 57:1913-1915
Low‐resistance ohmic contacts of Pt/Ti to p‐InGaAs/n‐InP heterostructures were formed by rapid thermal processing (RTP). Deep level transient spectroscopy and current‐voltage temperature (I‐V‐T) measurements were used to characterize this
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::716892dfae094f66dbd8c30f5b49f3aa
https://doi.org/10.1063/1.104010
https://doi.org/10.1063/1.104010
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics
Journal of Physics D: Applied Physics, 2021, 54, pp.465103. ⟨10.1088/1361-6463/ac1e4e⟩
Journal of Physics D: Applied Physics, 2021, 54, pp.465103. ⟨10.1088/1361-6463/ac1e4e⟩
The capability of single crystal diamonds to maintain their unique electronic properties even at high temperatures is, in particular, relevant for its applications as a radiation detector. In order to explore characteristics of charge transport at hi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e1e5132def707aa39c07e26c6b09da38
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac1e4e
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac1e4e
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 10/14/2024, Vol. 125 Issue 16, p1-6, 6p
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 17, p174502-1-174502-7, 7p, 5 Diagrams, 4 Graphs