Zobrazeno 1 - 10 of 13 pro vyhledávání: '"Hohn, F. J."'
1
Akademický článek
Fabrication and testing of single-crystal lanthanum hexaboride rod cathodes.
Autor: Hohn, F. J., Chang, T. H. P., Broers, A. N., Frankel, G. S., Peters, E. T., Lee, D. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1982, Vol. 53 Issue 3, p1283-1296, 14p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Electron-beam lithography for advanced device prototyping: Process tool metrology.
Autor: Rosenfield, M. G., Thomson, M. G. R., Coane, P. J., Kwietniak, K. T., Keller, J., Klaus, D. P., Volant, R. P., Blair, C. R., Tremaine, K. S., Newman, T. H., Hohn, F. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 6, p2615-2620, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
100 kV thermal field emission electron beam lithography tool for high-resolution x-ray mask patterning.
Autor: McCord, M. A., Viswanathan, R., Hohn, F. J., Wilson, A. D., Naumann, R., Newman, T. H.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 6, p2764-2770, 7p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Fabrication of compact 100 nm-scale silicon metal-oxide-semiconductor field effect transistors.
Autor: Wind, S. J., Reeves, C. M., Bucchignano, J. J., Lii, Y. T., Newman, T. H., Klaus, D. P., Keller, J., Volant, R. P., Tebin, B., Hohn, F. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 6, p2912-2916, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Design and characterization of compact 100 nm-scale silicon metal-oxide-semiconductor field effect transistors.
Autor: Reeves, C. M., Wind, S. J., Hohn, F. J., Lii, Y. T., Bucchignano, J. J., Newman, T. H., Klaus, D. P., Volant, R. P., Keller, J., Tebin, B.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 6, p2917-2921, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
X-ray mask fogging by electrons backscattered beneath the membrane @f|.
Autor: Christenson, K. K., Viswanathan, R. G., Hohn, F. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1990, Vol. 8 Issue 6, p1618-1623, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Electron beam lithography: Its applications.
Autor: Hohn, F. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1989, Vol. 7 Issue 6, p1405-1411, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
A vector-scan thermal-field emission nanolithography system.
Autor: Gesley, M. A., Hohn, F. J., Viswanathan, R. G., Wilson, A. D.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 6, p2014-2018, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
EL3 system for quarter-micron electron beam lithography.
Autor: Groves, T. R., Pfeiffer, H. C., Newman, T. H., Hohn, F. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 6, p2028-2032, 5p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Submicron electron-beam lithography using a beam size comparable to the linewidth control tolerance.
Autor: Rosenfield, M. G., Bucchignano, J. J., Rishton, S. A., Kern, D. P., Kettell, L. M., Molzen, W. W., Hohn, F. J., Viswanathan, R., Warlaumont, J. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1987, Vol. 5 Issue 1, p114-119, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje