Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"Hofsäss, H. C."'
Autor:
Bui, M. N., Rost, S., Auge, M., Tu, J.-S., Zhou, L., Aguilera, I., Blügel, S., Ghorbani Asl, M., Krasheninnikov, A., Hashemi, A., Komsa, H.-P., Jin, L., Kibkalo, L., O’Connell, E. N., Ramasse, Q. M., Bangert, U., Hofsäss, H. C., Grützmacher, D., Kardynal, B. E.
Publikováno v:
npj 2D Materials and Applications 6(2022), 42
In this work, we study ultra-low energy implantation into MoS₂ monolayers to evaluate the potential of the technique in two-dimensional materials technology. We use 80 Se⁺ ions at the energy of 20 eV and with fluences up to 5.0 · 10¹⁴ cm⁻²
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::71989be2c790afdece336f53c6da3a9c
https://www.hzdr.de/publications/Publ-34725-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-34725-1
Radioactive Cd and Se ions were implanted into high-resistivity ZnSe single crystals around 60 K and 300 K. Their lattice sites were determined by measuring the channelling and blocking effects of the emitted conversion electrons or positrons directl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od________65::c68c30bc2a0018ecd49ed4c32207a243
http://cds.cern.ch/record/283361
http://cds.cern.ch/record/283361
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 1997, Vol. 498 Issue 1, p129-134, 6p
