Zobrazeno 1 - 10
of 283
pro vyhledávání: '"Hofmann, Ph"'
Autor:
Michiardi, M., Boschini, F., Kung, H. -H., Na, M. X., Dufresne, S. K. Y., Currie, A., Levy, G., Zhdanovich, S., Mills, A. K., Jones, D. J., Mi, J. L., Iversen, B. B., Hofmann, Ph., Damascelli, A.
Publikováno v:
Nature Communications 13, 3096 (2022)
In spintronic devices, the two main approaches to actively control the electrons' spin degree of freedom involve either static magnetic or electric fields. An alternative avenue relies on the application of optical fields to generate spin currents, w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.09320
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schenk, A. K., Pakpour-Tabrizi, A. C., Holt, A. J. U., Mahatha, S. K., Arnold, F., Bianchi, M., Jackman, R. B., Miwa, J. A., Hofmann, Ph., Cooil, S. P., Wells, J. W., Mazzola, F.
Using angle-resolved photoelectron spectroscopy, we compare the electronic band structure of an ultrathin (1.8 nm) {\delta}-layer of boron-doped diamond with a bulk-like boron doped diamond film (3 {\mu}m). Surprisingly, the measurements indicate tha
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.00673
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tkáč, V., Výborný, K., Komanický, V., Warmuth, J., Michiardi, M., Ngankeu, A. S., Vališka, R. Tarasenko M., Stetsovych, V., Carva, K., Garate, I., Bianchi, M., Wiebe, J., Holý, V., Hofmann, Ph., Springholz, G., Sechovský, V., Honolka, J.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 123, 036406 (2019)
Magnetotransport constitutes a useful probe to understand the interplay between electronic band topology and magnetism in spintronics devices based on topological materials. A recent theory of Lu and Shen [Phys. Rev. Lett. 112, 146601 (2014)] on magn
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1806.10014
Autor:
Mazzola, F., Wells, J. W., Pakpour-Tabrizi, A. C., Jackman, R. B., Thiagarajan, B., Hofmann, Ph., Miwa, J. A.
We demonstrate simultaneous quantisation of conduction band (CB) and valence band (VB) states in silicon using ultra-shallow, high density, phosphorus doping profiles (so-called Si:P $\delta$-layers). We show that, in addition to the well known quant
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1801.00373
Autor:
Zonno, M., Michiardi, M., Boschini, F., Levy, G., Volckaert, K., Curcio, D., Bianchi, M., Rosa, P. F. S., Fisk, Z., Hofmann, Ph., Elfimov, I. S., Green, R. J., Sawatzky, G. A., Damascelli, A.
Publikováno v:
Nature Communications; 9/2/2024, Vol. 15 Issue 1, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bianchi, M., Song, F., Cooil, S., Monsen, A. F., Wahlstrom, E., Miwa, J. A., Rienks, E. D. L., Evans, D. A., Strozecka, A., Pascual, J. I., Leandersson, M., Balasubramanian, T., Hofmann, Ph., Wells, J. W.
Publikováno v:
Physical Review B 91 (16), 165307, 2015
The high index (441) surface of bismuth has been studied using Scanning Tunnelling Microscopy (STM), Angle Resolved Photoemission Spectroscopy (APRES) and spin-resolved ARPES. The surface is strongly corrugated, exposing a regular array of (110)-like
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1506.08017
Autor:
Tkáč, V., Vorobiov, S., Baloh, P., Vondráček, M., Springholz, G., Carva, K., Szabó, P., Hofmann, Ph., Honolka, J.
Publikováno v:
NPJ 2D Materials & Applications; 8/8/2024, Vol. 8 Issue 1, p1-8, 8p