Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"Hockly, M."'
The density of misfit dislocation sources in strained Si 1-xGex layers grown on Si substrates is rarely sufficient to explain the observed extent of relaxation when layer thicknesses are in excess of the metastable critical thickness. This letter des
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1164727521039da54dfbd211e77b1d7d
https://doi.org/10.1063/1.102645
https://doi.org/10.1063/1.102645
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/1/1991, Vol. 70 Issue 1, p182, 11p, 2 Diagrams, 4 Charts, 4 Graphs
Publikováno v:
Journal of Microscopy; 1980, Vol. 118 Issue 1, p117-126, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Philosophical Magazine A; July 1993, Vol. 68 Issue: 1 p121-136, 16p
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 1/8/1990, Vol. 56 Issue 2, p140, 3p
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 1/1/1990, Vol. 56 Issue 1, p54, 3p
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 1/9/1989, Vol. 54 Issue 2, p148, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.