Zobrazeno 1 - 10
of 189
pro vyhledávání: '"Hock, V."'
Autor:
Koenig, M., Tschetschetkin, A., Hankiewicz, E. M., Sinova, Jairo, Hock, V., Daumer, V., Schaefer, M., Becker, C. R., Buhmann, H., Molenkamp, L. W.
Ring structures fabricated from HgTe/HgCdTe quantum wells have been used to study Aharonov-Bohm type conductance oscillations as a function of Rashba spin-orbit splitting strength. We observe non-monotonic phase changes indicating that an additional
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0508396
Autor:
Daumer, V., Golombek, I., Gbordzoe, M., Novik, E. G., Hock, V., Becker, C. R., Buhmann, H., Molenkamp, L. W.
The transport properties of micrometer scale structures fabricated from high-mobility HgTe quantum-wells have been investigated. A special photoresist and Ti masks were used, which allow for the fabrication of devices with characteristic dimensions d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0305078
The transport properties of a magnetic two dimensional electron gas consisting of a modulation doped n type HgMnTe/HgCdTe quantum well, QW, have been investigated. By analyzing the Shubnikov-de Haas oscillations and the node positions of their beatin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0206335
Autor:
Hansen, L., Ferrand, D., Richter, G., Thierley, M., Hock, V., Schwarz, N., Reuscher, G., Schmidt, G., Waag, A., Molenkamp, L. W.
We report on the MBE-growth and magnetotransport properties of p-type BeMnTe, a new ferromagnetic diluted magnetic semiconductor. BeMnTe thin film structures can be grown almost lattice matched to GaAs for Mn concentrations up to 10% using solid sour
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0107619
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Insect Physiology 2007 53(1):59-66
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2005 78:374-380
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2003 65(3):327-333
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2001 57:389-396