Zobrazeno 1 - 10
of 87
pro vyhledávání: '"Hochet, B."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Kanan, R. ; Hochet, B. ; Kaess, F. ; Declercq, M. (1997) A low-power GaAs flip-flop. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1997, 3-5 September 1997, Bologna, Italy.
This paper describes a low-power high speed flip-flop in Gallium Arsenide (GaAs) called PCLF for Pseudo-Complementary Logic Flip-Flop. The PCLF offers attractive power saving without performance degradation and is fully compatible with existing FET l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ea25e68e4bbf6658e031bea66fbafcb7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2008 3rd International Conference on Sensing Technology; 2008, p192-199, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.