Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"Hirase J"'
Autor:
Hirase, J., Furukawa, T.
Publikováno v:
14th Asian Test Symposium (ATS'05); 2005, p188-193, 6p
Publikováno v:
14th Asian Test Symposium (ATS'05); 2005, p18-21, 4p
Autor:
Hirase, J.
Publikováno v:
Proceedings of the 11th Asian Test Symposium, 2002. (ATS '02); 2002, p21-26, 6p
Autor:
Hirase, J., Yoshimura, S.
Publikováno v:
Proceedings of the Ninth Asian Test Symposium; 2000, p191-197, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Gate-capacitance characteristics of deep-submicron LATID (large-angle-tilt implanted drain) MOSFETs.
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1991 Technical Digest; 1991, p375-378, 4p
Autor:
Hirase, J., Hamada, M.
Publikováno v:
Proceedings of IEEE 3rd Asian Test Symposium (ATS); 1994, p144-149, 6p