Zobrazeno 1 - 10
of 88
pro vyhledávání: '"Hirabayashi, Yasuo"'
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 June 2017 468:744-748
Autor:
Ito, Takeshi, Kunimatsu, Masayuki, Kaneko, Satoru, Hirabayashi, Yasuo, Soga, Masayasu, Agawa, Yoshiaki, Suzuki, Koji
Publikováno v:
In Talanta 15 September 2012 99:865-870
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Akiyama, Kensuke, Kadowaki, Teiko, Hirabayashi, Yasuo, Yoshimoto, Mamoru, Funakubo, Hiroshi, Kaneko, Satoru
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2011 316(1):10-14
Autor:
Kaneko, Satoru, Akiyama, Kensuke, Ito, Takeshi, Shimizu, Yoshitada, Hirabayashi, Yasuo, Ohya, Seishiro, Funakubo, Hiroshi, Yoshimoto, Mamoru
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2008 310(7):1713-1717
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2006 508(1):380-384
Publikováno v:
SAE Transactions, 1995 Jan 01. 104, 845-849.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/44473296
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kaneko, Satoru, Nagano, Takatoshi, Akiyama, Kensuke, Ito, Takeshi, Yasui, Manabu, Hirabayashi, Yasuo, Funakubo, Hiroshi, Yoshimoto, Mamoru
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Apr2010, Vol. 107 Issue 7, p073523-073526, 3p, 1 Diagram, 3 Graphs
Autor:
Kaneko, Satoru, Ito, Takeshi, Akiyama, Kensuke, Yasui, Manabu, Kato, Chihiro, Tanaka, Satomi, Hirabayashi, Yasuo, Ozawa, Takeshi, Matsuno, Akira, Nire, Takashi, Funakubo, Hiroshi, Yoshimoto, Mamoru
As application of re-activation of backside on power device Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), laser annealing was employed to irradiate amorphous silicon substrate, and resistivities were measured using four point probe measurement. For annea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bc0c627f57e39691459367ef30a6f2a2
