Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"Hillier, Joseph"'
Autor:
Young, Bernadette C *, Eyre, David W, Kendrick, Saroj, White, Chris, Smith, Sylvester, Beveridge, George, Nonnenmacher, Toby, Ichofu, Fegor, Hillier, Joseph, Oakley, Sarah, Diamond, Ian, Rourke, Emma, Dawe, Fiona, Day, Ieuan, Davies, Lisa, Staite, Paul, Lacey, Andrea, McCrae, James, Jones, Ffion, Kelly, Joseph, Bankiewicz, Urszula, Tunkel, Sarah, Ovens, Richard, Chapman, David, Bhalla, Vineta, Marks, Peter, Hicks, Nick, Fowler, Tom, Hopkins, Susan, Yardley, Lucy, Peto, Tim E A
Publikováno v:
In The Lancet 2-8 October 2021 398(10307):1217-1229
Autor:
HILLIER, JOSEPH
Publikováno v:
Urban History, 2014 May 01. 41(2), 228-246.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26398283
Autor:
Hillier, Joseph, William
Scaling in commercially available silicon (Si) complementary-metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices has inevitably led to single carrier behaviour exhibited at low temperatures owing to the strong orbital quantization of disorder based quantum dots
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______348::dee72f844b3cd817777e95ed25485b91
https://eprints.soton.ac.uk/473205/
https://eprints.soton.ac.uk/473205/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
James Byers, Shinichi Saito, Muhammad Husain, Yoshishige Tsuchiya, Isao Tomita, Fayong Liu, Kouta Ibukuro, Harvey N. Rutt, Hillier, Joseph, William
In this work, we experimentally investigate the impact of electrical stress on the tunability of single hole transport properties within a p-type silicon MOSFET at a temperature of T = 2 K. This is achieved by monitoring Coulomb-blockade from three d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6b8b10cdd419d9a9c4731a7066da3d84
https://eprints.soton.ac.uk/453074/
https://eprints.soton.ac.uk/453074/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ibukuro, Kouta, Hillier, Joseph William, Liu, Fayong, Husain, Muhammad K., Li, Zuo, Tomita, Isao, Tsuchiya, Yoshishige, Rutt, Harvey, Saito, Shinichi
While the importance of atomic-scale features in silicon-based device for quantum application has been recognised and even the placement of a single atom is now feasible, the role of a dopant in the substrate has not attracted much attention in the c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______348::51a7588c7021cec7a8bb4391f784b272
https://eprints.soton.ac.uk/440519/
https://eprints.soton.ac.uk/440519/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Banking and Finance 2004 28(1):233-250