Zobrazeno 1 - 10 of 20 pro vyhledávání: '"Hillard, R. J."'
1
Akademický článek
High-resistivity GaSb grown by molecular-beam epitaxy.
Autor: Polyakov, A. Y., Stam, M., Milnes, A. G., Wilson, R. G., Fang, Z. Q., Rai-Choudhury, P., Hillard, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1992, Vol. 72 Issue 4, p1316, 4p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Conference
Threshold voltage (VT) control of sub-0.25 μm processes using mercury gate MOS capacitors.
Autor: Hillard, R. J., Mazur, R. G., Sherbondy, J. C., Peitersen, L., Wilson, M., Herlocher, R.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; Nov1998, Vol. 449 Issue 1, p240-244, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
SOI Material Properties Determined by Electrical Characterization.
Autor: Rai-Choudhury, P., Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Abe, T., Karulkar, P., Pawlik, M.
Publikováno v: ESSDERC '92: 22nd European Solid State Device Research conference; 1992, p827-830, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effects of trapped charges on Hg-Schottky capacitance-voltage measurements of n-type epitaxial silicon wafers.
Autor: Wang, Q., Liu, D., Virgo, J. T., Yeh, J., Hillard, R. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 2000, Vol. 18 Issue 4, p1308-1312, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Modeling of ultrashallow spreading resistance probe calibration curves.
Autor: Hillard, R. J., Ramey, S. M., Ye, C. Win
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2000, Vol. 18 Issue 1, p389-392, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
High-resolution damage depth profiles of unannealed sub-100 nm B+ implants in (100) silicon.
Autor: Hartford, C. L., Hillard, R. J., Mazur, R. G., Foad, M. A.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 1, p316-319, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Evaluation of diamond-ground beveled surfaces with Hg gate capacitance-voltage and current-voltage.
Autor: Hillard, R. J., Sherbondy, J. C., Hartford, C. L., Weinzierl, S. R., Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 1, p411-414, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Accurate profiling of ultra-shallow implants with mercury gate metal-oxide-semiconductor capacitance-voltage.
Autor: Dudal, Roger Le, Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p336-341, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Profiling of silicide-silicon structures using a combination of the spreading resistance and point contact current-voltage methods.
Autor: Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Hillard, R. J., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p317-321, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje