Zobrazeno 1 - 10 of 23 pro vyhledávání: '"Higman, T. K."'
1
Akademický článek
Theoretical and experimental analysis of the switching mechanism in heterostructure hot-electron diodes.
Autor: Higman, T. K., Higman, J. M., Emanuel, M. A., Hess, K., Coleman, J. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1987, Vol. 62 Issue 4, p1495, 5p, 3 Diagrams, 1 Chart, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Strained layer InGaAs channel negative-resistance field-effect transistor.
Autor: Favaro, M. E., Fernández, G. E., Higman, T. K., York, P. K., Miller, L. M., Coleman, J. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1989, Vol. 65 Issue 1, p378, 3p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
New ultrafast switching mechanism in semiconductor heterostructures.
Autor: Hess, K., Higman, T. K., Emanuel, M. A., Coleman, J. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1986, Vol. 60 Issue 10, p3775, 3p, 2 Diagrams, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
High Permittivity Oxide Gate Stacks on Silicon Incorporating UHV Silicon Nitride Interfacial Layers.
Autor: Shriver, Mark A., Gabrys, Ann M., Higman, T. K., Campbell, S. A.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2001, Vol. 670 Issue 1, p1-5, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
Comparison of Conductance and Capacitance techniques for Measurement of Interface States in Thin Oxides.
Autor: Higman, T. K.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2001, Vol. 670 Issue 1, p1-7, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
Low-Oxygen Nitride Layers Produced by UHV Ammonia Nitridation of Silicon.
Autor: Shriver, Mark A., Higman, T. K., Campbell, S. A., Taylor, Charles J., Roberts, Jeffrey
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2000, Vol. 611 Issue 1, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with gate structures defined by scanned probe lithography.
Autor: Hagedorn, M. S., Litfin, D. D., Price, G. M., Gordon, A. E., Higman, T. K.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1996, Vol. 14 Issue 6, p4153-4156, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Mechanisms of surface anodization produced by scanning probe microscopes.
Autor: Gordon, A. E., Fayfield, R. T., Litfin, D. D., Higman, T. K.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1995, Vol. 13 Issue 6, p2805-2808, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Fabrication and transport measurements of atomic force microscope modified silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
Autor: Fayfield, T., Higman, T. K.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1995, Vol. 13 Issue 3, p1285-1289, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje