Zobrazeno 1 - 10
of 198
pro vyhledávání: '"High-speed switching"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sergey Vainshtein, Guoyong Duan, Timo Rahkonen, Zachary Taylor, Valery Zemlyakov, Vladimir Egorkin, Olga Smolyanskaya, Thomas Skotnicki, Wojciech Knap
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 19, Iss , Pp 103509- (2020)
Peak power is a critical factor for sub-nanosecond-pulsed transmitters utilizing laser diodes (LD) and applied to long distance LIDARs (light detection and ranging) for drones and automotive applications. Receiver speed is not anymore a limiting fact
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/73a2a3780b3a4e32a7c2a47b1386118e
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 2, p 313 (2022)
The converters used to integrate the ground power station of planes with the utility grid are generally created with silicon-insulated gate bipolar transistor (Si-IGBT)-based semiconductor technologies. The Si-IGBT switch-based converters are ineffic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/860ef63e66c94ff58bfe32b01b21b665
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Symposium de Génie Electrique
Symposium de Génie Electrique, Jul 2020, Nantes (FR), France
Symposium de Génie Electrique, Jul 2020, Nantes (FR), France
International audience; This paper presents a study on a few main challenges in GaN-based designs from component to board development level. Transistors in parallel in a switch are more critical in designing power cells due to the high sensitivity to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::bf6ffc7514a821eb086c4ee520b7f76e
https://hal.science/hal-03979539/file/conference_SGE2020.pdf
https://hal.science/hal-03979539/file/conference_SGE2020.pdf
Autor:
Santos, Carlos Roberto dos
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
Orientador: Shusaburo Motoyama Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação Resumo: Neste trabalho é proposto um comutador de pacotes baseado em uma estrutura crossbar com m enlaces paralel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e1918d0a57a1dad0588d3a8babcf3ff4
https://doi.org/10.47749/t/unicamp.2006.371062
https://doi.org/10.47749/t/unicamp.2006.371062
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the 2020 22nd European Conference on Power Electronics and Applications
EPE'20 ECCE Europe
EPE'20 ECCE Europe, Sep 2020, Lyon, France. pp.P.1-P.9, ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215684⟩
EPE'20 ECCE Europe
EPE'20 ECCE Europe, Sep 2020, Lyon, France. pp.P.1-P.9, ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215684⟩
International audience; In this paper, the impact of paralleling nonidentical Gallium Nitride High Electron Mobility transistors (GaN HEMTs) in a high-speed switch is investigated. GaN HEMTs with a packaged p-gate and a die of MIS-gate types are bein
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2c8efc8e5aeb75624dffecf87e1909d7
https://hal.science/hal-03184726
https://hal.science/hal-03184726