Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"High-k Oxide"'
Autor:
Caterina Soldano
Publikováno v:
Materials, Vol 14, Iss 13, p 3756 (2021)
Organic light emitting transistors (OLETs) represent a relatively new technology platform in the field of optoelectronics. An OLET is a device with a two-fold functionality since it behaves as a thin-film transistor and at the same time can generate
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e60c4727f5df46ccb8346b6031640440
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 3, Pp 188-192 (2017)
We present new evidence that the non-volatile negative photoconductivity (NPC) response of the ZrO2 breakdown path can be suppressed or tuned to different levels by repeated application of a positive voltage-bias on the TiN electrode prior to light e
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5126356980684f5da5b7e622d77f2ca7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mota Frutuoso, Tadeu, Garros, Xavier, Lugo-Alvarez, José, Kom Kammeugne, Roméo, Mohgouk Zouknak, Louis David, Viey, Abygaël, Vandendaele, William, Ferrari, Philippe, Gaillard, Fred
Publikováno v:
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), Mar 2022, Dallas, United States. ⟨10.1109/IRPS48227.2022.9764550⟩
IEEELink
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), Mar 2022, Dallas, United States. ⟨10.1109/IRPS48227.2022.9764550⟩
IEEELink
International audience; Two Ultra-Fast capacitance characterization methods based on the displacement current measure are explored for MOS capacitance devices. The first method measure the variation of charge obtained from several 100ns short pulses
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::13a5e89e482ad964495f897e131baddb
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764550
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764550
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 3, Pp 188-192 (2017)
We present new evidence that the non-volatile negative photoconductivity (NPC) response of the ZrO2 breakdown path can be suppressed or tuned to different levels by repeated application of a positive voltage-bias on the TiN electrode prior to light e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b24f331773f8e88f7b6116b8d1794387
https://ieeexplore.ieee.org/document/7872399/
https://ieeexplore.ieee.org/document/7872399/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kumar, Pushpendra
Cette thèse concerne l’étude des procédés de fabrication des grilles HKMG des technologies FDSOI 14 et 28 nm sur les performances électriques des transistors MOS. Elle a porté spécifiquement sur l'aspect fiabilité et la maîtrise du travail
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAT114/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.