Zobrazeno 1 - 10
of 14 096
pro vyhledávání: '"High-electron mobility transistor (HEMT)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2021 124
Publikováno v:
Semicond. Sci. Technol. 35 095028 (2020)
III-V heterostructure based high electron mobility transistors (HEMTs) offer superior performance as compared to CMOS silicon transistors owing to the high mobility in the 2D electron gas (2DEG) channel at the heterostructure interface. Gallium nitri
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.07545
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal for Simulation & Multidisciplinary Design Optimization. 2022, Vol. 13, p1-11. 11p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sarangadharan, Indu, Regmi, Abiral, Chen, Yen-Wen, Hsu, Chen-Pin, Chen, Pei-chi, Chang, Wen-Hsin, Lee, Geng-Yen, Chyi, Jen-Inn, Shiesh, Shu-Chu, Lee, Gwo-Bin, Wang, Yu-Lin
Publikováno v:
In Biosensors and Bioelectronics 15 February 2018 100:282-289