Zobrazeno 1 - 10
of 108
pro vyhledávání: '"High speed memory"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 95305-95313 (2019)
With the increasing demand for state-of-the-art technologies, such as wearable devices and the Internet of things (IoT), power integrity has emerged as a major concern for high-speed, low-power interfaces that are used as mobile platforms. By using c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/09d0908441da4713a7c0ef331448f418
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prashant Majhi, Le Van H, Tung I-Cheng, Brian S. Doyle, Yoo Hui Jae, Tobias L Brown-Heft, Yu-Jin Chen, Abhishek Sharma, Miriam Reshotko, Jack T. Kavalieros, Matthew V. Metz
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Scaled ferroelectric transistors (L g =76 nm) in a back- gated configuration are fabricated with a channel-last process flow. Using this approach, optimization of the ferroelectric gate oxide film can be decoupled from that of the semiconductor chann
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee352181ccb4c904d5779e075a9ad290
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371940
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371940
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 95305-95313 (2019)
With the increasing demand for state-of-the-art technologies, such as wearable devices and the Internet of things (IoT), power integrity has emerged as a major concern for high-speed, low-power interfaces that are used as mobile platforms. By using c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8d183c7cf1aa34286cc791e4b0c39a98
https://ieeexplore.ieee.org/document/8763973/
https://ieeexplore.ieee.org/document/8763973/
Autor:
Moonjung Kim
Publikováno v:
International Journal of Control and Automation. 11:119-128
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2778560d0eddcfea10f2c675f360e76a
https://doi.org/10.14257/ijca.2018.11.7.10
https://doi.org/10.14257/ijca.2018.11.7.10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zvi Or-Bach
Publikováno v:
The Frontiers Collection ISBN: 9783030183370
AI (Artificial Intelligence) is all about possessing a high volume of unstructured data and then needing to process it at high speed. DRAM today is the technology of choice for memory in such AI systems. Yet, DRAM’s high energy per bit and the dimi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7941c5f5d088590e22ab140d38132290
https://doi.org/10.1007/978-3-030-18338-7_10
https://doi.org/10.1007/978-3-030-18338-7_10
