Zobrazeno 1 - 10
of 392
pro vyhledávání: '"High resistivity silicon"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 4, p 536 (2024)
The high transport characteristics of AlGaN/GaN heterostructures are critical components for high-performance electronic and radio-frequency (RF) devices. We report the transport characteristics of AlGaN/GaN heterostructures grown on a high-resistivi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e87fb15cda174603839159cbfcb62adf
Autor:
Jean-Pierre Raskin
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 4 (2023)
This last decade silicon-on-insulator (SOI) MOS-FET technology has demonstrated its potentialities for highfrequency (reaching cutoff frequencies close to 500 GHz forn-MOSFETs) and for harsh environments (high temperature,radiation) commercial applic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9dcd066f33644f4391ffecae560c545e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Technology, Vol 9, Iss 3, Pp 589-601 (2018)
The demand for high-speed data transmission has increased significantly in the last decades. Terahertz (THz) frequency, which lies between 100 GHz to 10 THz, has been considered as the solution to the demand. However, the low gain and low efficiency
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6ab3be69771645d9bb2c69992df80766
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.