Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"High dv/dt"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Industry Applications, Vol 5, Pp 94-105 (2024)
This article presents a desat protection scheme with the ultrafast response for high-voltage (>3.3 kV) SiC MOSFETs. Its working principle is the same as the conventional desat protection designed for high-voltage SiC MOSFETs, yet its blanking time is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fea111db159a4b5abaedd280a1463f35
Autor:
Xingxuan Huang, Shiqi Ji, Cheng Nie, Dingrui Li, Min Lin, Leon M. Tolbert, Fred Wang, William Giewont
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 3, Pp 36-50 (2022)
This paper comprehensively analyzes desaturation (desat) protection for high voltage (>3.3 kV) silicon carbide (SiC) MOSFETs and especially how to build in noise immunity under high dv/dt. This study establishes a solid foundation for understanding t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a274aec6291446ecbd30fe8c9a73bdc1
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 89758-89768 (2022)
Partial discharge (PD) measurement of an insulation system is widely used as a diagnostic tool for the quality control of high voltage apparatuses. In ac, the conventional method of PD detection is well established. However, under square voltages suc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0a773dee52b24b8f89a013901177c339
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.