Zobrazeno 1 - 10
of 3 899
pro vyhledávání: '"High dv/dt"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Industry Applications, Vol 5, Pp 94-105 (2024)
This article presents a desat protection scheme with the ultrafast response for high-voltage (>3.3 kV) SiC MOSFETs. Its working principle is the same as the conventional desat protection designed for high-voltage SiC MOSFETs, yet its blanking time is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fea111db159a4b5abaedd280a1463f35
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shang, Xingyu1 (AUTHOR), Pang, Lei1 (AUTHOR) plein911@163.com, Bu, Qinhao1 (AUTHOR), Zhang, Qiaogen1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 2/14/2024, Vol. 135 Issue 6, p1-13. 13p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alsaif, Faisal1 (AUTHOR) faalsaif@ksu.edu.sa, Wang, Jin2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ). Nov2023, Vol. 48 Issue 11, p14439-14447. 9p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems; November 2024, Vol. 32 Issue: 11 p1993-2000, 8p
Autor:
Xingxuan Huang, Shiqi Ji, Cheng Nie, Dingrui Li, Min Lin, Leon M. Tolbert, Fred Wang, William Giewont
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 3, Pp 36-50 (2022)
This paper comprehensively analyzes desaturation (desat) protection for high voltage (>3.3 kV) silicon carbide (SiC) MOSFETs and especially how to build in noise immunity under high dv/dt. This study establishes a solid foundation for understanding t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a274aec6291446ecbd30fe8c9a73bdc1