Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"High current model (HICUM)"'
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 7, Iss 2, Pp 175-183 (2021)
The dc and ac performance of advanced SiGe:C heterojunction bipolar transistors (HBTs) featuring transit frequency ( $f_{\text {T}}$ ) and maximum oscillation frequency ( $f_{\text {max}}$ ) of 300 and 500 GHz was characterized from 298 K down to 4.3
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b63d572dc76347d785ed895df8073388
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rosenbaum, Tommy
Les procédés bipolaires semi-conducteurs complémentaires à oxyde de métal (BiCMOS) peuvent être considérés comme étant la solution la plus généralepour les produits RF car ils combinent la fabrication sophistiquée du CMOSavec la vitesse e
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017BORD0550/document
Autor:
ROSENBAUM, Tommy
Bipolare komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter (BiCMOS) Prozesse bietenhervorragende Rahmenbedingungen um Hochfrequenzanwendungen zurealisieren, da sie die fortschrittliche Fertigungstechnik von CMOS mit derGeschwindigkeit und Treiberleistung von Sil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::cb7028753ba4ebc357f11901f68aaeb1
https://theses.hal.science/tel-01504430
https://theses.hal.science/tel-01504430
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.