Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Floating Body RAM Technology and its Scalability to 32nm Node and Beyond.

Autor: Shino, Tomoaki, Kusunoki, Naoki, Higashi, Tomoki, Ohsawa, Takashi, Fujita, Katsuyuki, Hatsuda, Kosuke, Ikumi, Nobuyuki, Matsuoka, Fumiyoshi, Kajitani, Yasuyuki, Fukuda, Ryo, Watanabe, Yoji, Minami, Yoshihiro, Sakamoto, Atsushi, Nishimura, Jun, Nakajima, Hiroomi, Morikado, Mutsuo, Inoh, Kazumi, Hamamoto, Takeshi, Nitayama, Akihiro

Publikováno v: 2006 International Electron Devices Meeting; 2006, p1-4, 4p

Design of a 128-Mb SOI DRAM Using the Floating Body Cell (FBC).

Autor: Ohsawa, Takashi, Fujita, Katsuyuki, Hatsuda, Kosuke, Higashi, Tomoki, Shino, Tomoaki, Minami, Yoshihiro, Nakajima, Hiroomi, Morikado, Mutsuo, Inoh, Kazumi, Hamamoto, Takeshi, Watanabe, Shigeyoshi, Fujii, Shuso, Furuyama, Tohru

Publikováno v: IEEE Journal of Solid-State Circuits; Jan2006, Vol. 41 Issue 1, p135-145, 11p, 1 Black and White Photograph, 9 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs

Memory Design Using a One-Transistor Gain Cell on SOI.

Autor: Ohsawa, Takashi, Fujita, Katsuyuki, Higashi, Tomoki, Iwata, Yoshihisa, Kajiyama, Takeshi, Asao, Yoshiyuki, Sunouchi, Kazumasa

Publikováno v: IEEE Journal of Solid-State Circuits; Nov2002, Vol. 37 Issue 11, p1510, 13p, 6 Black and White Photographs, 10 Diagrams, 18 Graphs