Zobrazeno 1 - 10
of 25 387
pro vyhledávání: '"Hi, K."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Academic Journal of Science and Technology. 4:155-161
During the epidemic period, the daily traffic fluctuation of the airport has a strong correlation with the current control policy. The analysis of traffic similar days can provide a reference for the optimization of airport traffic management. Aiming
Publikováno v:
Journal of the Southern African Institute of Mining and Metallurgy, Volume: 122, Issue: 8, Pages: 473-486, Published: AUG 2022
South African discard coal fines and K2CO3 blends were heated in a laboratory-scale rotary kiln to produce ashes for H2SO4 leaching tests. The optimized H2SO4 leaching conditions of 6.12 mol.dm3 (M) H2SO4, solid to liquid ratios 1:5 and 1:10, and 8o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::83e6c5ac1cd98513153f5034068acee4
http://www.scielo.org.za/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S2225-62532022000800010&lng=en&tlng=en
http://www.scielo.org.za/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S2225-62532022000800010&lng=en&tlng=en
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Behzad Ahmadi, Sajjad Bigham
Publikováno v:
Applied Thermal Engineering. 204:117993
Publikováno v:
Aircraft Engineering and Aerospace Technology, 2006, Vol. 78, Issue 5.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
XINGHONG PAN
Publikováno v:
SIAM Journal on Mathematical Analysis; 2024, Vol. 56 Issue 4, p4854-4869, 16p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Pezzotta, A. Marchioro, Chun-Min Zhang, Alessandro Paccagnella, Simone Gerardin, Dario Bisello, Marta Bagatin, Devis Pantano, Andrea Baschirotto, Serena Mattiazzo
This paper presents the results of an irradiation study on single transistors manufactured in a 28 nm high-k commercial CMOS technology up to 1 Grad. Both nMOSFET and pMOSFET transistors have been irradiated and electrical parameters have been measur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a2a8abfd07e18b1ad0b74db94a66e67f
http://hdl.handle.net/10281/191750
http://hdl.handle.net/10281/191750