Zobrazeno 1 - 10
of 180
pro vyhledávání: '"Heyes, David"'
Autor:
Heyes, David M., Santos, Andrés
Publikováno v:
J. Chem. Phys. 148, 214503 (2018)
A detailed comparison between the Boubl\'ik-Mansoori-Carnahan-Starling-Leland (BMCSL)equation of state of hard-sphere mixtures is made with Molecular Dynamics (MD) simulations of the same compositions. The Lab\'ik and Smith simulation technique [S. L
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1804.10832
Publikováno v:
Journal of Chemical Physics; 1/21/2024, Vol. 160 Issue 3, p1-15, 15p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Heyes, David M., Santos, Andrés
Publikováno v:
J. Chem Phys. 145, 214504 (2016)
The Lab\'ik and Smith Monte Carlo simulation technique to implement the Widom particle insertion method is applied using Molecular Dynamics (MD) instead to calculate numerically the insertion probability, $P_0(\eta,\sigma_0)$, of tracer hard-sphere (
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1609.06905
Autor:
Heyes, David M., Woodcock, Leslie V.
A method of obtaining the critical temperature from within a supercritical mesophase bounded by percolation transition loci is described. We report thermodynamic pressures from MD simulations for more than 2000 state points along 7 near-critical isot
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1301.6116
Autor:
Collier, Nicholas C., Heyes, David W., Butcher, Ed J., Borwick, Jason, Milodowski, Antoni E., Field, Lorraine P., Kemp, Simon J., Mounteney, Ian, Bernal, Susan A., Corkhill, Claire L., Hyatt, Neil C., Provis, John L., Black, Leon
Publikováno v:
In Applied Geochemistry July 2019 106:120-133
Publikováno v:
Proceedings: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 1999 Oct 01. 455(1990), 3725-3742.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/53506
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2010 50(7):923-927