Zobrazeno 1 - 10
of 655
pro vyhledávání: '"Heterojunction diode"'
Autor:
Christian D. Matthus, Phanish Chava, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Thomas Mikolajick, Artur Erbe
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 23, Iss , Pp 100246- (2024)
The advent of two-dimensional (2D) materials has led to innovative and compact electronic devices with remarkable properties. In this work, we introduce a switchable bidirectional diode (2D BDiode), fabricated entirely using different 2D materials, t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2715beb476fe419f84a163c9fcaf5da2
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 555-563 (2024)
This paper reports on an all-oxide thin film piezotronic P-N heterojunction diode incorporating vertically-stacked structure of N+-ITO/P-type nickel oxide/N-type zinc oxide as a flexible energy scavenger and its diode characteristics on signal regula
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7eddcb3a80554a84b2bdcc9b4361495b
Publikováno v:
Gels, Vol 10, Iss 8, p 537 (2024)
The current work presents a new structure based on Au/PVA/SiO2/p-Si/Al that has not been studied before. An aqueous solution of polyvinyl alcohol (PVA) polymer gel was deposited on the surface of SiO2/Si using the spin-coating technique. The silicon
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7b254a08a4644100ad26a575b0c51ae8
Autor:
Rajesh Niranjan, Naresh Padha
Publikováno v:
Results in Optics, Vol 13, Iss , Pp 100533- (2023)
Thin films of nanocrystalline selenium (Se) of different thicknesses were grown on annealing from 323 to 398 K. The crystallinity of the layers increased with annealing temperatures (TA). The temperature thickness correlations were established. The l
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/73a880f3f25b4c5a877da979ed286c2d
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 554-561 (2022)
A 4H-SiC MOSFET with p-type region injection and integrated split gate and heterojunction diode is proposed in this paper. Compared with the conventional MOSFET, the proposed structure has a lower on-resistance and switching loss. And the gate oxide
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d72b3656954e484ab81b6d0184ce8edd
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 45, Iss , Pp 106229- (2023)
The thermal evaporation technique has been frequently used for the deposition of sub-stoichiometric molybdenum oxide (MoO3) films. This approach requires a high temperature, which limits the control of MoO3 stoichiometry and affects its conducting me
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bd35fc3f09df4192ba9a89617ab3b6a1
Publikováno v:
Journal of Experimental Nanoscience, Vol 16, Iss 1, Pp 309-343 (2021)
The paper presents structural and dielectric properties of Polypyrrole-MWCNTs/TiO2/Al2O3/n-Si emphasizing that one of the superior characteristics is the appearance of negative dielectric constant and dielectric loss tangent at both high and low freq
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dbbcbbb292c946f5834177e13791948a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.