Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Herz, L M"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lloyd-Hughes, J., Richards, T., Sirringhaus, H., Castro-Camus, E., Herz, L. M., Johnston, M. B.
Terahertz time-domain spectroscopy and scanning probe potentiometry were used to investigate charge trapping in polymer field-effect transistors fabricated on a silicon gate. The hole density in the transistor channel was determined from the reductio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0608279
Autor:
Beljonne, D., Pourtois, G., Silva, C., Hennebicq, E., Herz, L. M., Friend, R. H., Scholes, G. D., Setayesh, S., Müllen, K., Brédas, J. L.
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2002 Aug . 99(17), 10982-10987.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3059508
Publikováno v:
Philosophical Transactions: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 2012 Aug . 370(1972), 3787-3801.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/41582531
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wehrenfennig, C., Palumbiny, C. M., Schmidt-Mende, L., Johnston, M. B., Henry Snaith, Herz, L. M., IEEE
Publikováno v:
ResearcherID
We studied charge transport in anodized TiO2 nanotubes in the context of their application in dye-sensitized solar cells. Optical-pump-THz- probe spectroscopy revealed short free carrier lifetimes of about 15-30 ps, which we attribute to shallow trap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::138fa54cf6ac2e8005f6697a05bacd62
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:8e825f29-9926-48cb-a5e2-9ed640206012
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:8e825f29-9926-48cb-a5e2-9ed640206012
Autor:
Boland, J L, Conesa-Boj, S, Joyce, H J, Herz, L M, Fontcuberta i Morral, A, Johnston, M B, Parkinson, P, Tutuncuoglu, G, Matteini, F, Ruffer, D, Casadei, A, Amaduzzi, F, Jabeen, F, Davies, C L, Jessica L Boland, Sonia Conesa-Boj, Patrick Parkinson, Gozde Tutuncuglu, Federico Matteini, Daniel Ruffer, Alberto Casadei, Francesca Amaduzzi, Fauzia Jabeen, Christopher L Davies, Hannah J Joyce, Laura M. Herz, Anna Fontcuberta i Morral, Michael B Johnston
Publikováno v:
Nano Letters
Boland, J L, Conesa-Boj, S, Parkinson, P, Tuetuencueoglu, G, Matteini, F, Rueffer, D, Casadei, A, Amaduzzi, F, Jabeen, F, Davies, C L, Joyce, H J, Herz, L M, Fontcuberta i Morral, A & Johnston, M B 2015, ' Modulation Doping of GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires With Effective Defect Passivation and High Electron Mobility ', Nano Letters, vol. 15, no. 2, pp. 1336-1342 . https://doi.org/10.1021/nl504566t, https://doi.org/10.1021/nl504566t
Boland, J L, Conesa-Boj, S, Parkinson, P, Tuetuencueoglu, G, Matteini, F, Rueffer, D, Casadei, A, Amaduzzi, F, Jabeen, F, Davies, C L, Joyce, H J, Herz, L M, Fontcuberta i Morral, A & Johnston, M B 2015, ' Modulation Doping of GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires With Effective Defect Passivation and High Electron Mobility ', Nano Letters, vol. 15, no. 2, pp. 1336-1342 . https://doi.org/10.1021/nl504566t, https://doi.org/10.1021/nl504566t
Reliable doping is required to realize many devices based on semiconductor nanowires. Group IIIV nanowires show great promise as elements of high-speed optoelectronic devices, but for such applications it is important that the electron mobility is no
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.