Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Herrero, Eugenio"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pascual, Javier, Minaya, Federico, Molina, Celia García, Aizpún, Celia San Blas, Herrero, Eugenio
Publikováno v:
In Journal of Critical Care June 2024 81
Autor:
Costa Navarro, David, Jiménez Fuertes, Montiel, Medina Álvarez, Juan Carlos, Requena Meana, Luis, Jimeno Lecina, Elena, Inaba, Kenji, Herrero, Eugenio, Antonio Velasco, José
Publikováno v:
In Cirugía Española (English Edition) 2009 86(6):363-368
Autor:
Costa Navarro, David, Jiménez Fuertes, Montiel, Medina Álvarez, Juan Carlos, Requena Meana, Luis, Jimeno Lecina, Elena, Inaba, Kenji, Herrero, Eugenio, Velasco, José Antonio
Publikováno v:
In Cirugia Espanola 2009 86(6):363-368
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nieto, Mercedes, Robles, Juan, Causse, Manuel, Gutiérrez, Leticia, Cruz Perez, Maria, Ferrer, Ricard, Xercavins, Mariona, Herrero, Eugenio, Sirvent, Elia, Fernández, Cristina, Anguita, Paloma, Merino, Paloma
Publikováno v:
Infectious Diseases and Therapy; September 2019, Vol. 8 Issue: 3 p429-444, 16p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | The 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | 06/10/2008-10/10/2008 | Montreaux, Suiza
Archivo Digital UPM
instname
Archivo Digital UPM
instname
GaN-based devices have demonstrated excellent performance for electronics and optoelectronics applications. In particular, these devices exhibit very good performance when operated at high temperatures and in harsh environments when compared to simil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::53cc96d617d20820c819887724169067
https://oa.upm.es/3913/
https://oa.upm.es/3913/
Autor:
Cuerdo Bragado, Roberto, Sillero Herrero, Eugenio, Romero Rojo, Fátima, Uren, M., Muñoz Merino, Elias, Calle Gómez, Fernando
Publikováno v:
Proceedings of the 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | The 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | 06/10/2008-10/10/2008 | Montreaux (Suiza)
Archivo Digital UPM
instname
Archivo Digital UPM
instname
GaN-based transistors have demonstrated to be the most promising candidates for applications with high power and high frequency requirements, and working in harsh environments. They take advantage of some interesting properties of nitrides such as th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b4d4909169f29e4b87d88738cda590ed
https://oa.upm.es/3876/
https://oa.upm.es/3876/
Publikováno v:
Estudios Penales y Criminológicos; 2009, Issue 29, p7-60, 54p, 3 Charts