Sputtering rate change and surface roughening during oblique and normal incidence O2⁺ bombardment of silicon, with and without oxygen flooding.

Autor: Magee, Charles W., Mount, Gary R., Smith, Stephen P., Herner, Brad, Gossmann, Hans-J.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 6, p3099-3104, 6p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.