Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Herfurth, Patrick"'
Autor:
Ostermaier, Clemens a, ⁎, Lagger, Peter a, ⁎, Alomari, Mohammed b, Herfurth, Patrick b, Maier, David b, Alexewicz, Alexander a, Forte-Poisson, Marie-Antoinette di c, Delage, Sylvain L. c, Strasser, Gottfried a, Pogany, Dionyz a, Kohn, Erhard b
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September-October 2012 52(9-10):1812-1815
Autor:
Lugani, Lorenzo, Carlin, Jean-François, Py, Marcel A., Martin, Denis, Rossi, Francesca, Salviati, Giancarlo, Herfurth, Patrick, Kohn, Erhard, Bläsing, Jürgen, Krost, Alois, Grandjean, Nicolas
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jun2013, Vol. 113 Issue 21, p214503, 6p
Autor:
Herfurth, Patrick
This thesis is dedicated to the investigation of lattice-matched InAlN/GaN high electron-mobility transistors (HEMTs) for their application in high-temperature electronics and in electrochemical sensor systems. In this work, this refers to ambient te
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b97fc8805c9d3a6da0b502a9e87c2499
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Herfurth, Patrick, Maier, David, Men, Yakiv, Rösch, Rudolf, Lugani, Lorenzo, Carlin, Jean-Francois, Grandjean, Nicolas, Kohn, Erhard
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; 2013, Vol. 28 Issue 7, p1-5, 5p
Autor:
Herfurth, Patrick, Men, Yakiv, Rösch, Rudolph, Carlin, Jean-Francois, Grandjean, Nicolas, Kohn, Erhard
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Mar2012, Vol. 9 Issue 3/4, p945-948, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Herfurth, Patrick, Maier, David, Lugani, Lorenzo, Carlin, Jean-Francois, Rosch, Rudolf, Men, Yakiv, Grandjean, Nicolas, Kohn, Erhard
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; Apr2013, Vol. 34 Issue 4, p496-498, 3p
Autor:
Herfurth, Patrick, Maier, David, Men, Yakiv, Roesch, Rudolf, Lugani, Lorenzo, Carlin, Jean-Francois, Grandjean, Nicolas, Kohn, Erhard
Lattice-matched InAlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) have been prepared in a silicon-on-insulator (SOI)-like configuration. Here, this implies an ultrathin body 50 nm GaN channel/50 nm AlN nucleation layer material structure on sapphi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______185::4ae2add95aabb6d83a31695b337c6054
https://infoscience.epfl.ch/record/189532
https://infoscience.epfl.ch/record/189532