Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"Hensling, Felix V. E."'
Autor:
Majer, Lena N., Acartürk, Tolga, van Aken, Peter A., Braun, Wolfgang, Camuti, Luca, Eckl-Haese, Johan, Mannhart, Jochen, Onuma, Takeyoshi, Rabinovich, Ksenia S., Schlom, Darrell G., Smink, Sander, Starke, Ulrich, Steele, Jacob, Vogt, Patrick, Wang, Hongguang, Hensling, Felix V. E.
Sapphire is a technologically highly relevant material, but it poses many challenges to performing epitaxial thin-film deposition. We have identified and applied the conditions for adsorption-controlled homoepitaxial growth of c-plane sapphire. The f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.17194
Autor:
Majer, Lena N., Smink, Sander, Braun, Wolfgang, Fenk, Bernhard, Harbola, Varun, Stuhlhofer, Benjamin, Wang, Hongguang, van Aken, Peter A., Mannhart, Jochen, Hensling, Felix V. E.
Superconducting films of alpha-Ta are promising candidates for the fabrication of advanced superconducting qubits. However, alpha-Ta films suffer from many growth-induced structural inadequacies that negatively affect their performance. We have there
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.16227
Autor:
Azizie, Kathy, Hensling, Felix V. E., Gorsak, Cameron A., Kim, Yunjo, Dryden, Daniel M., Senevirathna, M. K. Indika, Coye, Selena, Shang, Shun-Li, Steele, Jacob, Vogt, Patrick, Parker, Nicholas A., Birkhölzer, Yorick A., McCandless, Jonathan P., Jena, Debdeep, Xing, Huili G., Liu, Zi-Kui, Williams, Michael D., Green, Andrew J., Chabak, Kelson, Neal, Adam T., Mou, Shin, Thompson, Michael O., Nair, Hari P., Schlom, Darrell G.
We report the use of suboxide molecular-beam epitaxy (S-MBE) to grow $\beta$-Ga$_2$O$_3$ at a growth rate of ~1 ${\mu}$m/h with control of the silicon doping concentration from 5x10$^{16}$ to 10$^{19}$ cm$^{-3}$. In S-MBE, pre-oxidized gallium in the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.12096
Autor:
Vogt, Patrick, Hensling, Felix V. E., Azizie, Kathy, McCandless, Jonathan P., Park, Jisung, DeLello, Kursti, Muller, David A., Xing, Huili G., Jena, Debdeep, Schlom, Darrell G.
We observe a catalytic mechanism during the growth of III-O and IV-O materials by suboxide molecular-beam epitaxy ($S$-MBE). By supplying the molecular catalysts In$_2$O and SnO we increase the growth rates of Ga$_2$O$_3$ and In$_2$O$_3$. This cataly
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.05022
Autor:
Vogt, Patrick, Hensling, Felix V. E., Azizie, Kathy, Chang, Celesta S., Turner, David, Park, Jisung, McCandless, Jonathan P., Paik, Hanjong, Bocklund, Brandon J., Hoffman, Georg, Bierwagen, Oliver, Jena, Debdeep, Xing, Huili G., Mou, Shin, Muller, David A., Shang, Shun-Li, Liu, Zi-Kui, Schlom, Darrell G.
This paper introduces a growth method---suboxide molecular-beam epitaxy (S-MBE)---which enables the growth of Ga2O3 and related materials at growth rates exceeding 1 micrometer per hours with excellent crystallinity in an adsorptioncontrolled regime.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2011.00084
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Research Letters 8 1 2020
We provide insights into the influence of surface termination on the oxygen vacancy incorporation for the perovskite model material SrTiO3 during annealing in reducing gas environments. We present a novel approach to control to tailor the oxygen vaca
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.06095