Zobrazeno 1 - 10
of 174
pro vyhledávání: '"Henry, J H"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Crissman, Henry J. H. (AUTHOR), Torrence, Virginia R. (AUTHOR)
Publikováno v:
Ceramics Monthly. Apr2024, Vol. 72 Issue 4, p18-20. 3p. 3 Color Photographs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:3761-3766
This study addressed the characteristics of electrolyte–insulator–semiconductor (EIS) pH sensors with array wells and sensing membrane stacks of 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES)/SiO2. The arrays of square wells were fabricated by nanoimprint
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f322d52f17c432ebbb45828c87266057
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3009646
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3009646
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Henry J. H. Chen, Attrimuni P. Dhondge, Yu-Chang Chang, Yi-Xiang Huang, Shin-Lun Tseng, Ming-Yu Kuo, Yu-Hung Hsu, Ta Lin
Publikováno v:
The Journal of Organic Chemistry. 84:14061-14068
Benzodipyrrole-2,6-dione-3,7-diylidenedimalononitriles (BDPMs) were synthesized as active materials for the use in air-stable n-type organic field-effect transistors (OFETs), whose optical and elec...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9179b2654f641ff1b92072871302fbed
https://doi.org/10.1021/acs.joc.9b02207
https://doi.org/10.1021/acs.joc.9b02207
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 8:Q158-Q163
This study focuses on the characteristics of polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistors (TFTs) with n-type line-array doping channels manufactured by nanoimprint lithography. Array doping patterns with a line width/space of approximately
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42c73bed122845871e04914b2598f78a
https://doi.org/10.1149/2.0161908jss
https://doi.org/10.1149/2.0161908jss
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 61:SD1001
This study demonstrated a polycrystalline-silicon (poly-Si)-based double-gate (DG) ion-sensitive field-effect transistors (DG-ISFETs) using APTES/SiO2 stack-sensing membrane. The APTES/SiO2 stack-sensing membrane enhanced the single-gate (SG) sensiti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aa64148c1d5a926abd71276b4516001d
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac5422
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac5422
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 169:037511
In this study, the characteristics of ion-sensitive field-effect transistors (ISFETs) with silicon wire array channels and sensing membrane stacks of 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES)/SiO2 were investigated. Si wires were fabricated by nanoimprint
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9472c4d124c482b0d4d7554f33d8938b
https://doi.org/10.1149/1945-7111/ac5ad9
https://doi.org/10.1149/1945-7111/ac5ad9
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 165:B767-B772
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c96c70d676ebc064106a87a3b15bc7c3
https://doi.org/10.1149/2.1401814jes
https://doi.org/10.1149/2.1401814jes